Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO

П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. В. Федотова

Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия

Аннотация: Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2Sn$_{\mathrm{In}}^\bullet$O$''_i$)$^x$.

Поступила в редакцию: 07.11.2013
Принята в печать: 28.11.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1237–1241

Реферативные базы данных:

•