Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs с переменным профилем состава

И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, М. М. Грехов, В. П. Гладков, Н. И. Каргин, М. Н. Стриханов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия

Аннотация: Для управления потенциальным профилем квантовой ямы реализована технология варизонных слоев In$_y$Ga$_{1-y}$As с неоднородным профилем состава вдоль направления роста. Структурные свойства образцов аттестованы методом рентгеновской дифрактометрии. В выращенных PНЕМТ-гетероструктурах с односторонним и двусторонним $\delta$-легированием Al$_{0.23}$Ga$_{0.77}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/Al$_{0.23}$Ga$_{0.77}$As исследовано влияние неоднородного состава квантовой ямы на структурные и электронные транспортные свойства образцов (градиент содержания InAs до 1.2%/нм при среднем $y$ = 0.2). Оптимизация профиля состава приводит к увеличению подвижности и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме.

Поступила в редакцию: 09.01.2014
Принята в печать: 24.01.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, , 1226–1232

Реферативные базы данных:

•