RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1243–1248 (Mi phts7698)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации

В. П. Улинa, Н. В. Улинa, Ф. Ю. Солдатенковa, А. В. Семеновbc, А. В. Бобыльa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, 194064 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основе анализа спектров инфракрасного поглощения прослежены изменения химического состава поверхностных слоев мезопористых кристаллов кремния, происходящие при их гидрофилизации за счет окисления в растворах перекиси водорода, а также в результате опосредованного, через промежуточное бромирование, и прямого нуклеофильного замещения связанного водорода гидроксилом. Выявлен спонтанный процесс атомной перегруппировки с переносом атомов кислорода от адсорбированных ОН-групп в нижележащие слои атомов кристаллического скелета, приводящий к воспроизведению связей Si–H на его поверхности: –Si–Si–OH $\to$ –Si–O–Si–H. Рассмотрена последовательность элементарных процессов, обеспечивающих гидролитическую деградацию пористого кремния в слабощелочных средах. Отмечена роль деформаций химических связей в пористом кристалле в промотировании процесса гидролиза кремния. Показано, что модифицирование поверхности пористого кремния с помощью бромирования и последующей обработки в воде позволяет существенно повысить скорость его гидролитической деградации в слабощелочных растворах, аналогичных по величине рН биологическим жидкостям.

Поступила в редакцию: 24.01.2014
Принята в печать: 19.02.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1211–1216

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026