И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9,страницы 1228

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе

И. Е. Тысченко^a, М. Фельсков^b, А. Г. Черков^a, В. П. Попов^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский Центр Россендорф, Д-01314 Дрезден, Германия

Аннотация: Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре $T_a$ = 500–1100$^\circ$C. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при $T_a\ge$ 800$^\circ$C вблизи границы Si/SiO$_2$ и на глубине средних пробегов Rp. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb.

Поступила в редакцию: 16.01.2014
Принята в печать: 03.02.2014