RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1217–1227 (Mi phts7694)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb

Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт- Петербург, Россия

Аннотация: В рамках модели Кейна вычислены: энергия уровней размерного квантования, коэффициент поглощения и скорость излучательной рекомбинации для межзонных оптических переходов между различными подзонами размерного квантования в гетероструктуре с глубокой квантовой ямой состава AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Показано, что поправки, вносимые спин-орбитальным взаимодействием при расчете указанных величин, не превышают нескольких десятков процентов даже при значениях константы спин-орбитального взаимодействия, превышающих ширину запрещенной зоны, а учет непараболичности при расчете энергии уровней размерного квантования и коэффициента поглощения является гораздо более важным, чем учет спин-орбитального взаимодействия. При расчете скорости излучательной рекомбинации необходимо учитывать оба эффекта.

Поступила в редакцию: 27.12.2013
Принята в печать: 23.01.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1185–1195

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026