Аннотация:
В узком спектральном диапазоне 950–1000 нм получено излучение на оптическом переходе NB с участием экспериментально и теоретически наблюдаемых гибридных состояний в системе на основе InGaAs: квантовая точка–наномостик–квантовая яма. Экспериментально показано, что сила осциллятора нового перехода резко возрастает во встроенном электрическом поле pin-перехода. В режиме слабых токов в изучаемой системе переход NB является доминирующим каналом электролюминесценции. При плотности тока $>$ 10 A $\cdot$ см$^{-2}$ обнаружено “выгорание” наномостиков, после чего система становится “квазиклассической” туннельной парой из квантовой точки и квантовой ямы, разделенных барьером.
Поступила в редакцию: 25.12.2013 Принята в печать: 24.01.2014