Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$

А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Изготовлены анизотипные гетероструктуры $n$-TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$/$p$-Si методом электронно-лучевого испарения пленки TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$ на полированную подложку из поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$/Si при малых прямых смещениях; при смещениях $>$ 0.8 В доминирующим механизмом токопереноса является туннелирование. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках одноступенчатого туннельного механизма токопереноса.

Поступила в редакцию: 05.11.2013
Принята в печать: 13.11.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1174–1177

Реферативные базы данных:

•