RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1194–1197 (Mi phts7690)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь

Аннотация: На монокристаллах соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворах (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, выращенных методом Бриджмена, при 80 и 295 K изучены спектры пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом х изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Поступила в редакцию: 19.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1163–1166

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026