Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Структурные и оптические свойства плeнок ZnO, полученных безвакуумным химическим методом

В. В. Стрельчук^a, Е. А. Авраменко^a, А. С. Романюк^a, Л. В. Завьялова^a, Г. С. Свечников^a, В. С. Хомченко^a, Н. Н. Рощина^a, В. Н. Ткач<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
^b Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, 04074 Киев, Украина

Аннотация: Плeнки ZnO получены новым химическим безвакуумным методом: путeм пиролиза ацетилацетоната цинка при температуре 280–300$^\circ$C. Исследованы структурные, фононные и излучающие свойства плeнок ZnO при помощи рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и фотолюминесцентной спектроскопии. Регистрация в рентгеновских дифракционных спектрах интенсивного пика (0002) указывает на преимущественную ориентацию кристаллитов в плeнках ZnO в направлении (0001). На основе анализа моды $E_2^{\mathrm{high}}$ в спектре комбинационного рассеяния света в плeнках ZnO определена величина упругих деформаций $\varepsilon_{zz}$ ($\sim$ 3.2 $\cdot$ 10$^{-3}$) и качество кристаллической структуры. Проведено сравнение характеристик полученной плeнки с аналогичными характеристиками плeнки ZnO, выращенной методом электронно-лучевой эпитаксии. В результате продемонстрирована возможность выращивания поликристаллических плeнок ZnO достаточно высокого качества c помощью низкотемпературного технологичного метода.

Поступила в редакцию: 01.10.2013
Принята в печать: 20.01.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1145–1150

Реферативные базы данных:

•