RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1132–1137 (Mi phts7679)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров

В. В. Мамутин, Н. Д. Ильинская, Д. А. Бедарев, Р. В. Левин, Б. В. Пушный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследован процесс специальной постростовой обработки структур для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя заращивание высокоомным материалом – фосфидом индия с концентрацией носителей $n\approx$ 5 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-3}$, фотолитографию с применением различных химических жидкостных травителей и создание специальных контактов для обеспечения повышенного теплоотвода. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяет достичь необходимых параметров, удовлетворяющих требования к высококачественным приборам.

Поступила в редакцию: 04.12.2013
Принята в печать: 23.12.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1103–1108

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026