Эта публикация цитируется в 27 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Пикосекундное переключение тока высокой плотности (60 кА/см$^2$) кремниевым коммутатором на основе сверхбыстрого фронта ионизации

А. И. Гусев^a, С. К. Любутин^a, С. Н. Рукин^a, Б. Г. Словиковский^a, С. Н. Цыранов<sup>ab

a</sup> Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург, Россия
^b Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3–0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см$^2$. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру $>$ 100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7–15 пс, а электрическое поле в $p$–$n$-переходе достигает порога зинеровского пробоя ($\sim$ 10$^6$ В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 10$^{13}$ см$^{-3}$.

Поступила в редакцию: 30.07.2013
Принята в печать: 11.11.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1067–1078

Реферативные базы данных:

•