Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$

В. В. Брус, И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, П. Д. Марьянчук

Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Изготовлены анизотипные тонкопленочные гетеропереходы $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$ с использованием методов спрей-пиролиза и реактивного магнетронного распыления на постоянном напряжении. Проведен анализ электрических и оптических свойств тонких пленок CuInS$_2$, напыленных методом спрей-пиролиза при строго контролируемых режимах. Также исследованы электрические свойства тылового контакта Мо/CuInS$_2$ с помощью измерений трехзондовым методом. Установлен доминирующий механизм токопереноса в тонкопленочных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$ при прямом и обратном смещениях, который хорошо интерпретируется в рамках туннельно-рекомбинационной модели с участием поверхностных состояний на гетерогранице и дефектов в области пространственного заряда.

Поступила в редакцию: 10.10.2013
Принята в печать: 21.10.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1046–1050

Реферативные базы данных:

•