Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge

А. А. Блошкин^ab, А. И. Якимов^a, В. А. Тимофеев^a, А. В. Двуреченский<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом спектроскопии адмиттанса определены сечения захвата и энергетические уровни дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что в слоях квантовых точек, полученных при низкой температуре роста $T_g\le$ 450$^\circ$C, сечение захвата дырок в квантовые точки экспоненциально растет с увеличением энергии связи дырок (правило Мейера-Нельделя) с одинаковой, не зависящей от $T_g$ характерной энергией $\sim$ 25 мэВ. Показано, что правило Мейера–Нельделя нарушается в структурах, выращенных при более высоких температурах, а также в образцах, подвергнутых обработкам в водородной плазме. Для нанокластеров, синтезированных при низких температурах, полученные экспериментальные результаты свидетельствуют об электрон-фононном механизме захвата носителей заряда в квантовые точки Ge с участием структурных дефектов.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1036–1040

Реферативные базы данных:

•