Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии

В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Рассчитаны низкотемпературные темпы релаксации возбужденных состояний доноров висмута при излучении фононов в одноосно-деформированном в кристаллографическом направлении [100] кристалле кремния. Рассмотрены состояния, принадлежащие как нижним (2$\Delta$), так и верхним (4$\Delta$) долинам зоны проводимости кремния. Показана возможность инверсии населенностей состояний донора висмута в верхних (4$\Delta$) долинах зоны проводимости кремния при оптической накачке.

Поступила в редакцию: 12.08.2013
Принята в печать: 22.01.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 1017–1022

Реферативные базы данных:

•