В. В. Козловский, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8,страницы 1033

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Электронные свойства полупроводников

Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ

В. В. Козловский^a, А. А. Лебедев^b, В. Н. Ломасов^a, Е. В. Богданова^b, Н. В. Середова^b

^a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции исследовано воздействие электронного облучения в $n$-4H-SiC. Обнаружено, что скорость удаления носителей составила $V_d\approx$ 0.25 см$^{-1}$. Полная компенсация проводимости образцов с исходной концентрацией (1–2) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ наблюдалась при дозах облучения $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Одновременно с ростом компенсации увеличивалась интенсивность характерной для 4H-SiC “дефектной” люминесценции. Проведено сравнение параметров образца до облучения и после облучения и отжига. Анализируются физические механизмы компенсации исследовавшихся образцов.

Поступила в редакцию: 19.12.2013
Принята в печать: 25.12.2013