Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$

С. А. Немов^ab, Н. М. Благих^a, М. Б. Джафаров<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
^c Азербайджанский технологический университет, Az-2011 Гянджа, Азербайджан

Аннотация: Экспериментальные данные по явлениям переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$ качественно и количественно объяснены в двухзонной модели с межзонным рассеянием в диапазоне температур 77–300 K. Определены параметры двухзонной модели: эффективные массы плотности состояний легких и тяжелых дырок $m_{d1}\approx$ 0.5 $m_0$, $m_{d2}\approx$ 0.9 $m_0$ ($m_0$ – масса свободного электрона), энергетический зазор между неэквивалентными экстремумами $\Delta E_v(T)\approx$ 0.23 – 4.5 $\cdot$ 10$^{-2}$($T$/100 – 1) эВ.

Поступила в редакцию: 18.12.2013
Принята в печать: 23.12.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 999–1005

Реферативные базы данных:

•