Электронные свойства полупроводников

О глубоком донорном уровне в $n$-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении

М. И. Даунов, У. З. Залибеков, И. К. Камилов, А. Ю. Моллаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Приведены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических зависимостях электросопротивления и коэффициента Холла при всесторонних давлениях от атмосферного до 18 ГПа в $n$-GaAs. В интервале давлений 10 $\le P\le$ 18 ГПа обнаружен глубокий донорный центр. Обсуждаются положение его уровня энергии относительно края $\Gamma$-долины зоны проводимости при атмосферном давлении и его принадлежность вакансии мышьяка.

Поступила в редакцию: 21.11.2013
Принята в печать: 19.12.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 996–998

Реферативные базы данных:

•