Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем

М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев, К. С. Аюпов, О. Э. Саттаров, С. А. Тачилин

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Экспериментально установлено, что достаточно большое отрицательное магнитосопротивление в кремнии наблюдается не только в компенсированном $p$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$, а также в перекомпенсированном $n$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$ с положением уровня Ферми $F=E_C-0.35\div E_C-0.55$ эВ. Величина, а также температурная область существования отрицательного магнитосопротивления в таких материалах определяется положением уровня Ферми.

Поступила в редакцию: 11.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 986–988

Реферативные базы данных:

•