Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

А. Ш. Абдинов^a, Р. Ф. Бабаева^b, С. И. Амирова^a, Н. А. Рагимова^a, Р. М. Рзаев<sup>a

a</sup> Бакинский государственный университет, Az-1148 Баку, Республика Азербайджан
^b Азербайджанский государственный экономический университет, Az-1145 Баку, Республика Азербайджан

Аннотация: Исследовано влияние света из различных областей оптического поглощения (собственного и примесного) на подвижность свободных носителей заряда в чистых (специально не легированных) кристаллах моноселенида индия ($n$-InSe) с различным значением исходной темновой удельной проводимости ($\sigma_{T0}$ = 10$^{-3}$–10$^{-8}$ Ом$^{-1}$см$^{-1}$ при 77 K) при различных внешних условиях. Обнаружены зависимость подвижности свободных носителей заряда от воздействия света, положительная и отрицательная подвижностная память, а также стирание (гашение) подвижностной памяти. Предложена модель, которая основывается на частичной неупорядоченности исследуемых кристаллов и качественно удовлетворительно объясняет полученные экспериментальные результаты.

Поступила в редакцию: 13.05.2013
Принята в печать: 05.07.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:8, 981–985

Реферативные базы данных:

•