Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках $n$-InSb и $n$-CdSnAs$_2$

М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, И. К. Камилов, А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Проведен анализ экспериментальных барических при всестороннем давлении до 12 кбар и магнитополевых до 15 кЭ зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и поперечного магнетосопротивления при 77 K в макроскопически однородных объемных сильно легированных и сильно вырожденных кристаллах $n$-InSb и $n$-CdSnAs$_2$. Установлено, что поперечное магнетосопротивление в исследованных полупроводниках как в области слабых, так и в области классически сильных магнитных полей определяется статистически распределенными неоднородностями.

Поступила в редакцию: 30.05.2013
Принята в печать: 26.09.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:7, 839–841

Реферативные базы данных:

•