Аннотация:
В рамках гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs были рассчитаны потери на выход для резонаторов на основе 2D фотонных кристаллов с решеткой квадратной симметрии, узлы которых сформированы в верхней обкладке лазерного волновода отверстиями различной симметрии. Теоретически показано, что в отличие от фотонных кристаллов, сформированных отверстиями с симметрией С$_2$, характеризуемых наличием высокодобротных мод с нулевыми потерями на выход, фотонные кристаллы, сформированные отверстиями в форме равнобедренных прямоугольных треугольников или равносторонней трапеции, обладают наибольшей модовой дискриминацией между двумя самыми низкопороговыми модами с ненулевыми потерями на выход. Расчеты потерь на выход показывают, что предпочтительнее всего конструкции, для которых отверстия характеризуются большой глубиной, оставляя между областью фотонного кристалла и волноводом тонкий ($\sim$ 0.1 мкм) остаточный слой, а итоговая оптимизация величины потерь на выход должна производиться при известной величине внутренних оптических потерь в конкретной гетероструктуре.
Полный текст:
PDF файл (661 kB)