RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 2, страницы 109–112 (Mi phts7618)

XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Двумерный топологический андерсоновский изолятор в режиме квазибаллистического транспорта

Д. А. Курмачевab, З. Д. Квонab, Н. Н. Михайловa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование двумерного топологического андерсоновского изолятора на основе HgTe-квантовых ям в образцах субмикронных размеров, в которых реализован режим как диффузионного, так и квазибаллистического транспорта вдоль краевых токовых состояний. Сравнительный анализ указанных режимов позволил получить информацию о поведении рассеяния вдоль краевого состояния. Установлено, что включение магнитного поля не приводит к появлению эффектов локализации в одномерном транспорте краевых состояний.

Ключевые слова: двумерные системы, полуметалл, топологический изолятор, квантовая яма HgTe.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60985.8317



© МИАН, 2026