XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Микроволновая фотопроводимость в полуизолирующих твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)

С. Н. Чмырь^a, А. В. Галеева^a, Д. Е. Долженко^a, А. В. Никорич^b, Д. Р. Хохлов<sup>ac

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
^b Институт прикладной физики АН Молдовы, MD-2028 Кишинев, Молдова
^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследована фотопроводимость в полуизолирующих твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) при воздействии микроволнового излучения с частотой 48 ГГц в диапазоне температур 4.2–50 K. Обнаружено, что микроволновая фотопроводимость качественно отличается от наблюдавшейся ранее в этих полупроводниках фотопроводимости, возбуждаемой терагерцовым излучением с частотой $f\ge$ 0.6 ТГц. Показано, что специфическими особенностями микроволновой фотопроводимости являются отрицательный знак при низких температурах и отсутствие долговременной релаксации. Обсуждаются возможные механизмы, ответственные за наблюдаемый эффект.

Ключевые слова: фотопроводимость, теллурид олова–свинца, микроволновое излучение.

Поступила в редакцию: 17.05.2025
Исправленный вариант: 16.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60983.8183