XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов

Н. К. Чумаков^a, А. А. Андреев^a, И. В. Белов^a, Б. В. Гончаров^a, Ю. В. Грищенко^a, И. С. Езубченко^a, А. Б. Давыдов^b, М. Л. Занавескин^a, Е. М. Колобкова^a, Л. А. Моргун^b, С. Н. Николаев^a, К. Е. Приходько^a, И. А. Черных^a, С. Ю. Шабанов^a, В. Г. Валеев<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Анализ магнитополевой зависимости магнетосопротивления и осцилляций Шубникова–де Гааза позволяет определить концентрацию носителей заряда, а также транспортную и квантовую подвижности двумерного электронного газа в нитридных транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN в зависимости от температуры двумерного электронного газа и плотности электронов в нем. В отличие от стандартного холловского метода, требующего четырехконтактных измерений и дополнительных технологических процедур по созданию тестовых модулей, предложенная методика использует два контакта и позволяет сравнить параметры двумерного электронного газа в готовых транзисторах и в исходно синтезированных гетероструктурах.

Ключевые слова: нитридные транзисторы с высокой подвижностью электронов, двумерный электронный газ, эффект Шубникова–де Гааза.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60982.7751