RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 2, страницы 79–83 (Mi phts7613)

XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Неоднородное уширение энергетических уровней при флуктуации концентрации легирования в квантово-каскадных лазерах

Ан. А. Афоненкоa, А. А. Афоненкоa, Д. В. Ушаковa, Р. А. Хабибуллинb

a Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 117105 Москва, Россия

Аннотация: Проведен анализ влияния флуктуаций концентрации заряженных примесей на вольт-амперные характеристики квантово-каскадных лазеров при длине когерентности электронных волновых функций, превышающих длину экранирования кулоновского потенциала. Найдено, что величина неоднородного уширения линий перехода может превышать значения для однородного уширения для соответствующих уровней. Величина неоднородного уширения оказывается больше для волновых функций, которые дальше разнесены в пространстве.

Ключевые слова: квантово-каскадные гетероструктуры, ионизованные примеси, неоднородное спектральное уширение.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60980.7737



© МИАН, 2026