XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков

Ж. В. Смагина^a, В. А. Зиновьев^a, А. В. Мудрый^b, О. М. Бородавченко^b, А. О. Баженов^ac, А. В. Двуреченский^a, В. Д. Живулько<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Беларусь
^c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведен сравнительный анализ структурных и люминесцентных характеристик наноструктур с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии Ge на Si(100) в условиях облучения ионами Ge$^+$ с энергией $\sim$ 2 кэВ и без него. Установлено, что облучение ионами Ge$^+$ в процессе гетероэпитаксии способствует увеличению интенсивности фотолюминесценции в 3 раза по сравнению со структурами, созданными без ионного облучения. Для облученных образцов обнаружено смещение максимума полосы фотолюминесценции GeSi квантовых точек на $\sim$ 25 мэВ в низкоэнергетическую область. На основе анализа температурных зависимостей спектров фотолюминесценции в диапазоне 5–300 K определены энергии активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек.

Ключевые слова: GeSi квантовые точки, эпитаксия, ионное облучение, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.02.60977.7726