Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, В. В. Золотарев, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модель, описывающая падение излучательной эффективности и выходной оптической мощности полупроводникового лазера за порогом генерации моды резонатора Фабри-Перо. В предложенной модели механизм ухудшения выходных мощностных характеристик описан через выполнение пороговых условий для замкнутой моды. С использованием скоростных уравнений проведен анализ выполнения пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах.

Поступила в редакцию: 15.10.2013
Принята в печать: 21.10.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 686–690

Реферативные базы данных:

•