Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов

А. В. Саченко^a, В. П. Костылев^a, Н. Р. Кулиш^a, И. О. Соколовский^a, А. И. Шкребтий<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b University of Ontario, Institute of Technology, Faculty of Science, L1H7K4 Ontario, Canada

Аннотация: При расчете эффективности $\eta$ многопереходных солнечных элементов (МПСЭ) учтены излучательная рекомбинация, рекомбинация Шокли–Рида, поверхностная рекомбинация на фронтальной и тыльной поверхностях, рекомбинация в областях пространственного заряда, а также рекомбинация на границах гетеропереходов. Расчет выполнен путем самосогласованного решения уравнений для фототока и фотонапряжения, а также для теплового баланса. Учтено охлаждение МПСЭ по мере увеличения числа ячеек $n$ и улучшения условий теплоотвода. Рассмотрен эффект, приводящий к уменьшению фототока по мере увеличения $n$, связанный с сужением интервалов энергий фотонов, падающих на ячейку МПСЭ. Установлено, что существенное увеличение эффективности МПСЭ может быть достигнуто за счет улучшения условий теплоотвода, в частности, при использовании радиаторов и за счет приближения коэффициента серости МПСЭ к единице. Проведено сравнение полученных в работе результатов с результатами, приведенными в работах других авторов. Показано, что расчетные зависимости $\eta(n)$ согласуются со значениями, полученными экспериментально.

Поступила в редакцию: 28.05.2013
Принята в печать: 20.08.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 675–682

Реферативные базы данных:

•