В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5,страницы 684

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

В. М. Лукашин^a, А. Б. Пашковский^a, К. С. Журавлев^b, А. И. Торопов^b, В. Г. Лапин^a, Е. И. Голант^a, А. А. Капралова^a

^a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", 141195 Фрязино, Московская область, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами на основе слоев с разными типами легирования, оптимизированными для уменьшения поперечного пространственного переноса электронов и увеличения эффекта размерного квантования. Транзисторы продемонстрировали рост выходной мощности в 2 раза при длине трапециевидного затвора 0.4 – 0.5 мкм и общей ширине затвора транзистора 0.8 мм на частоте 10 ГГц в непрерывном режиме работы. При этом коэффициент усиления превысил 9.5 дБ при удельной выходной мощности более 1.6 Вт/мм и величине кпд по добавленной мощности до 50%. Проведена оценка перспектив развития данного типа приборов.

Поступила в редакцию: 16.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013