Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Полупроводниковое поведение нанокристаллического углерода

С. К. Брантов

Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, 142432 Черноголовка Московской области, Россия

Аннотация: Исследование характеристик нанокристаллических пленок углерода, полученных осаждением из пара при пиролизе метана в электрическом поле на подложках из монокристаллического кремния, показало наличие обратимого перехода из полуметаллического в полупроводниковое состояние начиная с температуры 560$^\circ$C. Полученный материал содержит значительное количество тетраэдрических нанокластеров в матрице пиролитического углерода. Массовая плотность материала превышает 2.7 г/cм$^3$. Основной причиной многократного увеличения проводимости композита при нагреве является переход кластеров в область собственной проводимости. Оценка энергии термоактивации проводимости композита дает значение 0.78 эВ.

Поступила в редакцию: 12.08.2013
Принята в печать: 23.09.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 649–652

Реферативные базы данных:

•