Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs

Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, 117105 Москва, Россия

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние конструкции метаморфного буфера метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As для HEMT на их электрофизические параметры и фотолюминесцентные свойства. Исследуемые гетероструктуры были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100) с использованием линейного или ступенчатого метаморфного буфера In$_x$Al$_{1-x}$As. В образцах с линейным метаморфным буфером внутрь буфера были введены сбалансированно-рассогласованные сверхрешетки или инверсные ступени. В области энергии фотонов 0.6 $<\hbar\omega<$ 0.8 эВ спектры фотолюминесценции для всех образцов идентичны и соответствуют переходам из первой и второй подзон электронов в зону тяжелых дырок в квантовой яме In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As. Обнаружено, что ширина на половине высоты соответствующей полосы пропорциональна двумерной концентрации электронов, а интенсивность люминесценции возрастает с увеличением холловской подвижности в гетероструктурах. В диапазоне энергий фотонов 0.8 $<\hbar\omega<$ 1.3 эВ, соответствующем рекомбинации носителей в барьерной области InAlAs, обнаружены особенности в спектрах фотолюминесценции. Эти особенности связаны с различием профиля распределения индия в заглаживающих и нижних барьерных слоях образцов, обусловленным различной конструкцией метаморфного буфера.

Поступила в редакцию: 17.09.2013
Принята в печать: 26.09.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 640–648

Реферативные базы данных:

•