Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром

В. М. Грабов^a, Е. В. Демидов^a, В. А. Комаров^a, Д. Ю. Матвеев^a, А. А. Николаева^b, Д. С. Маркушев^a, Е. В. Константинов^a, Е. Е. Константинова<sup>a

a</sup> Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт электронной инженерии и нанотехнологий имени Д.В. Гицу Академии наук Молдовы, MD 2028 Кишинев, Республика Молдова

Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных явлений в монокристаллических и блочных пленках висмута, легированного теллуром, в интервале температур 77–300 K, в диапазоне толщин пленок 0.1–1 мкм. Показано, что в исследованных пленках концентрация носителей заряда не зависит от толщины, рассеяние носителей заряда осуществляется на фононах, поверхности пленок, дефектах структуры и границах кристаллитов. Величины и соотношение перечисленных вкладов в ограничение подвижности носителей заряда зависит от содержания теллура, толщины пленки, а также их монокристаллического или блочного состояния.

Поступила в редакцию: 05.09.2013
Принята в печать: 12.09.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 630–635

Реферативные базы данных:

•