Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины

В. В. Зуев^a, С. Н. Григорьев^b, Р. И. Романов^a, В. Ю. Фоминский^a, В. В. Григорьев<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^b Московский государственный технологический университет "Станкин", 127994 Москва, Россия

Аннотация: Приведены результаты сравнительного исследования электрофизических свойств газосенсорных полупроводниковых структур, полученных импульсным лазерным осаждением платины, ионной имплантацией платины, а также комбинированным методом имплантации и осаждения платины на подложку $n$-6H-SiC. Двухслойные структуры показали более сильный отклик на газообразный водород при более выраженном диодном характере вольт-амперных характеристик для высоких температур $\sim$ 500$^\circ$C, чем однослойные ионно-имплантированные структуры. Кроме того, двухслойные структуры обладали большей воспроизводимостью параметров вольт-амперных характеристик при термоциклировании в водородосодержащей среде, чем обычные тонкопленочные структуры на подложке SiC. Исследованы химическое состояние ионно-имплантированной платины и структура тонкопленочных слоев после длительных испытаний в осложненных условиях. Рассмотрены возможные механизмы влияния платины на токопрохождение в ионно-имплантированном слое и его зависимость от состава окружающей газовой среды.

Поступила в редакцию: 23.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 602–611

Реферативные базы данных:

•