Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности

Н. В. Ткач, Ю. А. Сети

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: На основе найденного точного решения полного одномерного уравнения Шредингера предложена теория каналов прозрачности и вольт-амперной характеристики двухбарьерной резонансно-туннельной структуры в постоянном электрическом и высокочастотном электромагнитном полях произвольной напряженности. Впервые показано, что при увеличении напряженности электромагнитного поля из-за образования нерезонансных каналов прозрачности наносистемы форма ее вольт-амперной характеристики изменяется от одногорбой до двухгорбой кривой не только в окрестностях электронных резонансных энергий, но и в областях энергий, соответствующих суперпозиции пар полевых сателлитных состояний.

Поступила в редакцию: 26.11.2012
Принята в печать: 03.12.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 590–595

Реферативные базы данных:

•