Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

Х. Ф. Нгуен^a, С. А. Козюхин^a, А. Б. Певцов<sup>b

a</sup> Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Халькогенидные соединения системы Ge–Sb–Te являются перспективными материалами для применения в устройствах фазовой памяти. В данной работе исследовалось влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, и было установлено, что введение висмута позволяет увеличить оптический контраст тонких пленок примерно на 30% на длине волны 400 нм. Для объяснения экспериментальных результатов высказано предположение о примесном замещении сурьмы висмутом.

Поступила в редакцию: 15.10.2013
Принята в печать: 18.10.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:5, 577–583

Реферативные базы данных:

•