Температурная зависимость кинетики парной рекомбинации в аморфных полупроводниках

В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко


Аннотация: Теоретически изучена кинетика парной (геминальной) рекомбинации носителей заряда в аморфных материалах. Анализ проводится в рамках онзагеровской модели парной рекомбинации с учетом многократного захвата носителей на локализованные состояния с широким энергетическим спектром. Получены точные аналитические решения для пространственно-временно́й функции распределения носителей в паре и для временной зависимости фототока, контролируемого парной рекомбинацией при произвольных температуре и напряженности внешнего электрического поля. Показано, что в случае слабого внешнего поля и достаточна низкой температуры фототок на длительном интервале времени оказывается отрицательным (направленным против внешнего поля). С ростом температуры длительность участка отрицательного тока уменьшается, и при достаточно высокой температуре ток всегда остается направленным по внешнему приложенному полю.