RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 577–581 (Mi phts7578)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Тепловое расширение и теплопроводность соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворов (CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия

Аннотация: На монокристаллах соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворах (CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, выращенных направленной кристаллизацией расплава (вертикальный метод Бриджмена), исследовано тепловое расширения в интервале температур 80–600 K и теплопроводность (температурный интервал 300–600 K). По полученным данным проведен расчет коэффициента теплового расширения $(\alpha_L)$. Построены концентрационные зависимости $\alpha_L$ и теплопроводности $(\chi)$. Установлено, что $\alpha_L$ составом $x$ изменяется линейно, $\chi$ с минимумом для средних составов.

Поступила в редакцию: 18.06.2013
Принята в печать: 19.08.2013


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782614050030

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026