Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование встроенного потенциала в кристаллах кремния (100) при СВЧ плазменной микрообработке

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследований закономерностей влияния на электронные свойства поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным покрытием низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах. Рассмотрены модельные механизмы процессов и факторы, обеспечивающие устойчивую модификацию электронных свойств поверхности кристаллов кремния за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов, определяемых химической активностью используемых рабочих газов при плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Показана принципиальная возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов с целью расширения их электрофизических и функциональных свойств.

Поступила в редакцию: 30.05.2013
Принята в печать: 19.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 511–516

Реферативные базы данных:

•