Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана количественная модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении, базирующаяся на захвате дырок водородосодержащими ловушками. Часть довушек заряжается, образуя положительный объемный заряд в диэлектрике. Другая часть распадается с освобождением положительных ионов водорода, которые мигрируют в электрическом поле диэлектрика к межфазной границе с полупроводиником, где приводят к депассивации поверхностных состояний. Учитывается заряжение поверхностных состояний как в процессе облучения, так и при измерении порогового напряжения.

Поступила в редакцию: 19.07.2013
Принята в печать: 20.08.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 505–510

Реферативные базы данных:

•