Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN

А. В. Бабичев^ab, А. А. Лазаренко^a, Е. В. Никитина^a, Е. В. Пирогов^a, М. С. Соболев^a, А. Ю. Егоров<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые представлены результаты по созданию светодиодов белого свечения на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN на подложке фосфида галлия. Продемонстрирована электролюминесценция гетероструктур с непрерывным спектром в диапазоне длин волн от 350 до 1050 нм. Вывод света через боковые грани и лицевую часть образца позволил реализовать белое свечение за счет сверхширокого спектра электролюминесценции, перекрывающего весь видимый диапазон и часть ближнего инфракрасного диапазона. При выводе излучения через подложку коротковолновая часть спектра поглощается в слое GaP.

Поступила в редакцию: 23.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 501–504

Реферативные базы данных:

•