В. В. Брус, М. И. Илащук, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, “Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4,страницы 504

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe

В. В. Брус^ab, М. И. Илащук^a, И. Г. Орлецкий^a, П. Д. Марьянчук^a, К. С. Ульяницкий^a

^a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина
^b Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, D-12489 Berlin, Germany

Аннотация: Впервые изготовлены МОП диоды In/TiO$_2$/$p$-CdTe с помощью дешевого метода спрей-пиролиза, которые имели коэффициент выпрямления $K$ = 6 $\cdot$ 10$^3$ при внешнем смещении 2 В. Установлено, что доминирующим механизмом токопереноса в исследуемых МОП структурах при прямом и обратном напряжениях выступают туннельно-рекомбинационные процессы при участии энергетических уровней с глубиной залегания 0.25 эВ. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe свидетельствуют о резком уменьшении сопротивления высокоомного слоя TiО$_2$ при прямом смещении, что обусловлено соотношением энергетических параметров компонентов исследуемой МОП структуры.

Поступила в редакцию: 21.03.2013
Принята в печать: 01.04.2013