Электронная теплоемкость в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи перехода металл–диэлектрик в магнитном поле

Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов


Аннотация: Изучение электронной теплоемкости вблизи перехода металл–диэлектрик в магнитном поле может пролить свет на механизм такого перехода (магнитное вымораживание носителей на примесные центры, квазиклассическая андерсоновская локализация электронов в ямах флуктуационного потенциала, вигнеровская кристаллизация электронов, образование вязкой электронной жидкости). Эксперименты, проведенные на кристалле Cd$_{0.18}$Hg$_{0.82}$Те при ${T=1.4}$ K в полях ${B=1.6\div5.0}$ Т, в котором переход происходит при ${B=2.1}$ Т, показывают, что электронная теплоемкость не имеет особенности в точке перехода. Это свидетельствует о механизме перехода, связанного с наличием флуктуационного потенциала. Предложена качественная диаграмма фазовых состояний электронной системы Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в координатах $B,T$.