П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Титов, В. Б. Шилов, Г. М. Ермолаева, В. Г. Маслов, А. О. Орлова, “Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4,страницы 462

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами

П. А. Карасев^a, К. В. Карабешкин^a, А. И. Титов^a, В. Б. Шилов^b, Г. М. Ермолаева^b, В. Г. Маслов^c, А. О. Орлова^c

^a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, 199053 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрено влияние облучения ускоренными атомарными P и молекулярными PF$_4$ ионами с энергией 0.6 кэВ/аем на кристаллическую структуру и оптические свойства монокристаллических пленок GaN. Показано, что облучение малыми кластерами приводит: 1) к более быстрому накоплению структурных дефектов; 2) более сильному подавлению фиолетовой полосы и 3) к меньшим временам затухания ее интенсивности по сравнению с облучением атомарными ионами.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013