RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 458–461 (Mi phts7557)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Излучение света кристаллами двуокиси олова

В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов

Санкт-Петербургский государственный университет, 108504 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы спектры люминесценции кристаллов SnO$_2$ в интервале температур 5–40 K. Широкие полосы люминесценции в видимой области спектра интерпретированы как переходы с донорных уровней вакансий кислорода и межузельных атомов олова на акцепторные уровни собственных дефектов другого типа, которыми, видимо, являются вакансии олова и межузельные атомы кислорода. Обнаружено, что излучение одного из комплексов экситон-дефект, имеющего минимальную энергию связи, усиливается при нагревании кристалла от 5 до 30 K. Отличительной особенностью этого комплекса является аномально слабая связь с колебаниями кристаллической решетки.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 442–445

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026