RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 448–453 (Mi phts7555)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Электронные свойства полупроводников

Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb

М. И. Федоровab, Л. В. Прокофьеваa, Ю. И. Равичc, П. П. Константиновa, Д. А. Пшенай-Северинac, А. А. Шабалдинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 432–437

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026