RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 433–437 (Mi phts7552)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности зонной структуры твердых растворов (CuInSe$_2$)$_{1-x}$(MeSe)$_x$ (Me = Mn,Fe)

Ш. М. Гасанлиa, Ю. М. Басалаевb, У. Ф. Самедоваa

a Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Республика Азербайджан
b Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия

Аннотация: Получены экспериментальные данные о концентрационной зависимости ширины запрещенной зоны $E_g(x)$ и вычислена зонная структура твердых растворов (CuInSe$_2$)$_{1-x}$(MeSe)$_x$ (Me = Mn, Fe). Установлено увеличение $E_g$ при замещении атома In атомами Fe или Mn и ее уменьшение при замещении атомов меди Cu атомами Fe.

Поступила в редакцию: 23.05.2013
Принята в печать: 19.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 417–422

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026