RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 125–128 (Mi phts7496)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры

В. П. Дураев, С. В. Медведев


Аннотация: Представлены результаты работ по созданию одночастотных перестраиваемых по длине волны полупроводниковых лазеров с внешним резонатором на основе волоконных брэгговских решеток, сформированных в одномодовом волоконном световоде. Рассмотрены способы дискретной и плавной перестройки длины волны излучения. Приведенные в работе лазеры способны генерировать динамически стабильное излучение с узкой шириной линии 10 кГц в диапазоне 635–1650 нм.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 120–122

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026