Эта публикация цитируется в 2 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

В. В. Безотосный, В. А. Олещенко, Е. А. Чешев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 104–108

Реферативные базы данных:

•