Эта публикация цитируется в 5 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, М. В. Зверков, В. В. Кричевский, А. А. Падалица, С. М. Сапожников, В. А. Симаков

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: В работе приведены результаты исследования одиночных лазерных диодов и решеток спектрального диапазона 900–1060 нм, изготовленных на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs. Показано, что использование эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs позволяет создавать лазерные излучатели с повышенной мощностью и яркостью, работающиe в режиме коротких импульсов. Приведены результаты исследований характеристик изготовленных из указанных гетероструктур решеток лазерных диодов (РЛД).

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 99–103

Реферативные базы данных:

•