Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены гетероструктуры в системе материалов AlGaInAs/InP с различными вариантами геометрии активной области. Из полученных гетероструктур изготовлены лазерные диоды; с целью повышения выходной оптической мощности применен подход интеграции лазерных диодов в линейки и решетки. Одиночные лазерные диоды показали выходную мощность в импульсном режиме $\sim$ 6 Вт. Лазерные линейки продемонстрировали выходную мощность 20 Вт в импульсном режиме. Максимальная достигнутая импульсная выходная оптическая мощность на решетке из 30 элементов составила $\sim$ 110 Вт.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 95–98

Реферативные базы данных:

•